기술 :
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6.3A, 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.8V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
720pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)