기술 :
IC DRVR MOSF 1/2BRDG N-CH 14SOIC
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
1V, 4V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
500mA, 500mA
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
40V
상승 / 하강 시간 (일반) :
110ns, 50ns
작동 온도 :
-40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)