제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
6V, 9.5V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
2A, 2A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
600V
상승 / 하강 시간 (일반) :
25ns, 17ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads