Vishay Semiconductor Diodes Division - AZ23B30-G3-08

KEY Part #: K6531151

AZ23B30-G3-08 가격 (USD) [1590499PC 주식]

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  • 15,000 pcs$0.02215

부품 번호:
AZ23B30-G3-08
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 30V 300MW SOT23. Zener Diodes 30 Volt 0.3W 2% CA
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AZ23B30-G3-08 제품 속성

부품 번호 : AZ23B30-G3-08
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 30V 300MW SOT23
시리즈 : -
부품 상태 : Active
구성 : 1 Pair Common Anode
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 30V
공차 : ±2%
전력 - 최대 : 300mW
임피던스 (최대) (Zzt) : 80 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100nA @ 22.5V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23

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