ON Semiconductor - NTMFS4C10NAT3G

KEY Part #: K6394416

NTMFS4C10NAT3G 가격 (USD) [494168PC 주식]

  • 1 pcs$0.07485
  • 3,000 pcs$0.06824

부품 번호:
NTMFS4C10NAT3G
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - JFET and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS4C10NAT3G electronic components. NTMFS4C10NAT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4C10NAT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4C10NAT3G 제품 속성

부품 번호 : NTMFS4C10NAT3G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 16.4A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 6.95 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 18.6nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 987pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스 : 8-PowerTDFN, 5 Leads

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.

  • IRLIZ24G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • SI3134KL-TP

    Micro Commercial Co

    N-CHANNEL MOSFET SOT-883 PACKAG.