기술 :
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
600mA, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
950mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
21.3pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-XFDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
DFN1010B-6