Infineon Technologies - IRL3303

KEY Part #: K6415019

[12554PC 주식]


    부품 번호:
    IRL3303
    제조사:
    Infineon Technologies
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Infineon Technologies IRL3303 electronic components. IRL3303 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3303, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3303 제품 속성

    부품 번호 : IRL3303
    제조사 : Infineon Technologies
    기술 : MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
    시리즈 : HEXFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 38A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
    Vgs (최대) : ±16V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 870pF @ 25V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 68W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    실장 형 : Through Hole
    공급 업체 장치 패키지 : TO-220AB
    패키지 / 케이스 : TO-220-3

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • NDF0610

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

    • BSS100

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

    • BSS110

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • 94-4762

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.