ON Semiconductor - NVTFS4C08NWFTWG

KEY Part #: K6397332

NVTFS4C08NWFTWG 가격 (USD) [291425PC 주식]

  • 1 pcs$0.16050
  • 5,000 pcs$0.15970

부품 번호:
NVTFS4C08NWFTWG
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 30V 55A U8FL.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTFS4C08NWFTWG 제품 속성

부품 번호 : NVTFS4C08NWFTWG
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 18.2nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1113pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3.1W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스 : 8-PowerWDFN

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