기술 :
MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
660pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
15-SIP Exposed Tab, Formed Leads