기술 :
MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
16V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
9.6A (Ta), 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
963pF @ 12V
전력 발산 (최대) :
1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63