FDFME3N311ZT 가격 (USD) [2066PC 주식]
- 5,000 pcs$0.09984
- 부품 번호:
- FDFME3N311ZT
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FDFME3N311ZT electronic components. FDFME3N311ZT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFME3N311ZT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFME3N311ZT 제품 속성
부품 번호 :
FDFME3N311ZT
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
시리즈 :
PowerTrench®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.4nC @ 4.5V
Vgs (최대) :
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
75pF @ 15V
FET 특징 :
Schottky Diode (Isolated)
전력 발산 (최대) :
1.4W (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
6-MicroFET (1.6x1.6)
패키지 / 케이스 :
6-UFDFN Exposed Pad
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