기술 :
MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.8V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
115nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1893pF @ 1000V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)