Microsemi Corporation - JAN1N3766

KEY Part #: K6443622

JAN1N3766 가격 (USD) [1506PC 주식]

  • 1 pcs$28.73192

부품 번호:
JAN1N3766
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3766 제품 속성

부품 번호 : JAN1N3766
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
시리즈 : Military, MIL-PRF-19500/297
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 800V
전류 - 평균 정류 (Io) : 35A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.4V @ 110A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스 : DO-203AB, DO-5, Stud
공급 업체 장치 패키지 : DO-5
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C

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