Toshiba Semiconductor and Storage - BAS316,H3F

KEY Part #: K6458608

BAS316,H3F 가격 (USD) [3056256PC 주식]

  • 1 pcs$0.01210

부품 번호:
BAS316,H3F
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS316,H3F 제품 속성

부품 번호 : BAS316,H3F
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 100V
전류 - 평균 정류 (Io) : 250mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.25V @ 150mA
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 3ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 200nA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SC-76, SOD-323
공급 업체 장치 패키지 : USC
작동 온도 - 정션 : 150°C (Max)

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