ON Semiconductor - FJNS3212RBU

KEY Part #: K6526503

[3143PC 주식]


    부품 번호:
    FJNS3212RBU
    제조사:
    ON Semiconductor
    상세 설명:
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in ON Semiconductor FJNS3212RBU electronic components. FJNS3212RBU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FJNS3212RBU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FJNS3212RBU 제품 속성

    부품 번호 : FJNS3212RBU
    제조사 : ON Semiconductor
    기술 : TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    트랜지스터 유형 : NPN - Pre-Biased
    전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA
    전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 40V
    저항기 -베이스 (R1) : 47 kOhms
    저항기 - 이미 터베이스 (R2) : -
    DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
    Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
    전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100nA (ICBO)
    빈도 - 전환 : 250MHz
    전력 - 최대 : 300mW
    실장 형 : Through Hole
    패키지 / 케이스 : TO-226-3, TO-92-3 Short Body
    공급 업체 장치 패키지 : TO-92S

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • FJNS3206RTA

      ON Semiconductor

      TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S.

    • FJNS3203RBU

      ON Semiconductor

      TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3.

    • FJNS3202RTA

      ON Semiconductor

      TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3.

    • FJNS3215RBU

      ON Semiconductor

      TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S.

    • FJN4301RBU

      ON Semiconductor

      TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

    • FJN4305RBU

      ON Semiconductor

      TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.