Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

[6347PC 주식]


    부품 번호:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    제조사:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    상세 설명:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) 제품 속성

    부품 번호 : HN1D02FU(T5L,F,T)
    제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
    기술 : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    시리즈 : -
    부품 상태 : Active
    다이오드 구성 : 2 Pair Common Cathode
    다이오드 유형 : Standard
    전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 80V
    전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) : 100mA
    전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 100mA
    속도 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    역 회복 시간 (trr) : 4ns
    전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 500nA @ 80V
    작동 온도 - 정션 : 125°C (Max)
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : SOT-563, SOT-666
    공급 업체 장치 패키지 : US6

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