BSM25GD120DN2BOSA1 가격 (USD) [1020PC 주식]
- 1 pcs$45.53010
- 부품 번호:
- BSM25GD120DN2BOSA1
- 상세 설명:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies BSM25GD120DN2BOSA1 electronic components. BSM25GD120DN2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM25GD120DN2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM25GD120DN2BOSA1 제품 속성
부품 번호 :
BSM25GD120DN2BOSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
IGBT 유형 :
-
구성 :
Full Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
35A
전력 - 최대 :
200W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 25A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
800µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
1.65nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
No
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
Module
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- HIGFEB1BOSA1
- 2LS20017E42W36702NOSA1
- FZ1600R17KF6CB2NOSA1
- FF1800R17IP5PBPSA1
- VS-GT75LP120N
- VS-GB70NA60UF
- VS-GB100TP120U
- VS-GA100NA60UP
- MIXA40W1200TMH
- FF450R17IE4BOSA2
- CM30TF-12H
- CM100TU-12H
- CM100E3U-12H
- BSM200GD60DLCBOSA1
- CM1000DU-34NF
- APTGT150SK120TG
- APTGF50TDU120PG
- APTGF200A120D3G
- APT50GT120JU2
- F3L400R07ME4B23BOSA1
- VII25-12P1
- FF300R12KS4PHOSA1
- APT60GT60JR
- APT50GT120JRDQ2
- FMG1G100US60L
- FMS6G15US60
- HGT1N40N60A4D
- FF225R17ME3BOSA1
- FD400R12KE3HOSA1
- FF200R17KE3S4HOSA1
- BSM150GB60DLCHOSA1
- BSM30GD60DLCBOSA1
- FP25R12KT3BOSA1
- DDB2U50N08W1RB23BOMA2
- FP20R06YE3B4BOMA1
- FS35R12W1T4BOMA1
- APT40GP90J
- FS25R12W1T4B11BOMA1
- APT50GP60JDQ2
- APTGT50H120TG