Comchip Technology - CDBDSC51200-G

KEY Part #: K6441829

상세 설명:: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

가족 카테고리:: KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 다이오드 - RF ...

경쟁 우위:: We specialize in Comchip Technology CDBDSC51200-G electronic components. CDBDSC51200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC51200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

부품 번호 : CDBDSC51200-G

제조사 : Comchip Technology

기술 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

시리즈 : -

부품 상태 : Active

다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky

전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V

전류 - 평균 정류 (Io) : 18A (DC)

전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 5A

속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)

역 회복 시간 (trr) : 0ns

전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F : 475pF @ 0V, 1MHz

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급 업체 장치 패키지 : D-PAK (TO-252)

작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다

CDBDSC3650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
CDBDSC51200-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
VS-30EPH06-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast
VS-E4PU6006L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
VS-60APU02-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
VS-60APU06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp