TK31J60W,S1VQ 가격 (USD) [11067PC 주식]
- 1 pcs$4.09851
- 25 pcs$3.35902
- 100 pcs$3.03127
- 500 pcs$2.53971
- 부품 번호:
- TK31J60W,S1VQ
- 상세 설명:
- MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액 and 전원 드라이버 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W,S1VQ electronic components. TK31J60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31J60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK31J60W,S1VQ 제품 속성
부품 번호 :
TK31J60W,S1VQ
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
시리즈 :
DTMOSIV
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
30.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.7V @ 1.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET 특징 :
Super Junction
전력 발산 (최대) :
230W (Tc)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-3P(N)
패키지 / 케이스 :
TO-3P-3, SC-65-3
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