CMH04(TE12L,Q,M) 가격 (USD) [755728PC 주식]
- 1 pcs$0.05165
- 3,000 pcs$0.05139
- 부품 번호:
- CMH04(TE12L,Q,M)
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT. Rectifiers 200V VRRM 1.0A 0.98V VFM 20A REC
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH04(TE12L,Q,M) electronic components. CMH04(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH04(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMH04(TE12L,Q,M) 제품 속성
부품 번호 :
CMH04(TE12L,Q,M)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
980mV @ 1A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
35ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOD-128
공급 업체 장치 패키지 :
M-FLAT (2.4x3.8)
작동 온도 - 정션 :
-40°C ~ 150°C
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