제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS NPN 1A 230V TO220-3
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
230V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
1.5V @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
100 @ 100mA, 5V
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack