IXYS - IXFH13N90

KEY Part #: K6412124

IXFH13N90 가격 (USD) [8714PC 주식]

  • 1 pcs$5.46528
  • 30 pcs$5.43809

부품 번호:
IXFH13N90
제조사:
IXYS
상세 설명:
MOSFET N-CH 900V 13A TO-247.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
We specialize in IXYS IXFH13N90 electronic components. IXFH13N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH13N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH13N90 제품 속성

부품 번호 : IXFH13N90
제조사 : IXYS
기술 : MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
시리즈 : HiPerFET™
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4200pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 300W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-247AD (IXFH)
패키지 / 케이스 : TO-247-3

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • 2N7000,126

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

  • IRFR3412PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

  • IRFR15N20DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

  • IRFR3505PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRFR3411PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

  • IRLR3915PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.