기술 :
MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
13.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
500pF @ 20V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SC-74, SOT-457