DTC115GUAT106 가격 (USD) [2686624PC 주식]
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- 3,000 pcs$0.01311
- 6,000 pcs$0.01183
- 15,000 pcs$0.01028
- 30,000 pcs$0.00925
- 75,000 pcs$0.00823
- 150,000 pcs$0.00720
- 부품 번호:
- DTC115GUAT106
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor DTC115GUAT106 electronic components. DTC115GUAT106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DTC115GUAT106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DTC115GUAT106 제품 속성
부품 번호 :
DTC115GUAT106
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
트랜지스터 유형 :
NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
-
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
82 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
500nA (ICBO)
빈도 - 전환 :
250MHz
전력 - 최대 :
200mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 :
UMT3
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