Microsemi Corporation - APT40GP60B2DQ2G

KEY Part #: K6423270

APT40GP60B2DQ2G 가격 (USD) [7172PC 주식]

  • 1 pcs$6.83085
  • 10 pcs$6.21123
  • 25 pcs$5.74549
  • 100 pcs$5.27967
  • 250 pcs$4.81382

부품 번호:
APT40GP60B2DQ2G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
IGBT 600V 100A 543W TMAX.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT40GP60B2DQ2G 제품 속성

부품 번호 : APT40GP60B2DQ2G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : IGBT 600V 100A 543W TMAX
시리즈 : POWER MOS 7®
부품 상태 : Not For New Designs
IGBT 유형 : PT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 160A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 40A
전력 - 최대 : 543W
스위칭 에너지 : 385µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 135nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 20ns/64ns
시험 조건 : 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3 Variant
공급 업체 장치 패키지 : -