제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
600V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.3V @ 500mA
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-213AA (Glass)
공급 업체 장치 패키지 :
DO-213AA (GL34)
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C