기술 :
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
79 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.25V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
600pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-UDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
6-HUSON-EP (2x2)