부품 번호 :
TPC8212-H(TE12LQ,M
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
840pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP (5.5x6.0)