부품 번호 :
IPB50N10S3L16ATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.4V @ 60µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
64nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4180pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB