HGTP10N120BN 가격 (USD) [52422PC 주식]
- 1 pcs$0.74960
- 800 pcs$0.74587
- 부품 번호:
- HGTP10N120BN
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- IGBT 1200V 35A 298W TO220AB.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor HGTP10N120BN electronic components. HGTP10N120BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP10N120BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTP10N120BN 제품 속성
부품 번호 :
HGTP10N120BN
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
IGBT 유형 :
NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
35A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
80A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대 :
298W
스위칭 에너지 :
320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
100nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
23ns/165ns
시험 조건 :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
-
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220-3
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