ON Semiconductor - HGTP10N120BN

KEY Part #: K6424877

HGTP10N120BN 가격 (USD) [52422PC 주식]

  • 1 pcs$0.74960
  • 800 pcs$0.74587

부품 번호:
HGTP10N120BN
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP10N120BN 제품 속성

부품 번호 : HGTP10N120BN
제조사 : ON Semiconductor
기술 : IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
IGBT 유형 : NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 35A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 80A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대 : 298W
스위칭 에너지 : 320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 100nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 23ns/165ns
시험 조건 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-220-3