Vishay Siliconix - SI1471DH-T1-E3

KEY Part #: K6405993

SI1471DH-T1-E3 가격 (USD) [1473PC 주식]

  • 3,000 pcs$0.09710

부품 번호:
SI1471DH-T1-E3
제조사:
Vishay Siliconix
상세 설명:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in Vishay Siliconix SI1471DH-T1-E3 electronic components. SI1471DH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1471DH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1471DH-T1-E3 제품 속성

부품 번호 : SI1471DH-T1-E3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
시리즈 : TrenchFET®
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.6V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 9.8nC @ 4.5V
Vgs (최대) : ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 445pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SC-70-6 (SOT-363)
패키지 / 케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다