기술 :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
트랜지스터 유형 :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 10mA
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666