VS-10ETF12-M3 가격 (USD) [23205PC 주식]
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- 10 pcs$1.54201
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- 250 pcs$1.19856
- 500 pcs$1.02032
- 1,000 pcs$0.86051
- 2,500 pcs$0.81953
- 부품 번호:
- VS-10ETF12-M3
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 사이리스터 - 트라이 액 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF12-M3 electronic components. VS-10ETF12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETF12-M3 제품 속성
부품 번호 :
VS-10ETF12-M3
제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
1200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
10A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.33V @ 10A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
310ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-2
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220AC
작동 온도 - 정션 :
-40°C ~ 150°C
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