기술 :
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
30V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
180 @ 1A, 2V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)