기술 :
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1000A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 800A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2355nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)