TPW1R306PL,L1Q 가격 (USD) [66799PC 주식]
- 1 pcs$0.59163
- 5,000 pcs$0.58868
- 부품 번호:
- TPW1R306PL,L1Q
- 상세 설명:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q electronic components. TPW1R306PL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW1R306PL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPW1R306PL,L1Q 제품 속성
부품 번호 :
TPW1R306PL,L1Q
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
시리즈 :
U-MOSIX-H
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
260A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
8100pF @ 30V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
작동 온도 :
175°C
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
8-DSOP Advance
패키지 / 케이스 :
8-PowerVDFN
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