제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
70.13pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
3-DFN1006 (1.0x0.6)