제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
트랜지스터 유형 :
NPN - Pre-Biased + Diode
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
600mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
47 @ 50mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363