RN1130MFV,L3F 가격 (USD) [2968934PC 주식]
- 1 pcs$0.01252
- 8,000 pcs$0.01246
- 부품 번호:
- RN1130MFV,L3F
- 상세 설명:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F electronic components. RN1130MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1130MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN1130MFV,L3F 제품 속성
부품 번호 :
RN1130MFV,L3F
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
100 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
100 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
500nA
빈도 - 전환 :
250MHz
전력 - 최대 :
150mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-723
공급 업체 장치 패키지 :
VESM
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