제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC
시리즈 :
Automotive, AEC-Q100
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
250mA, 250mA
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
150V
상승 / 하강 시간 (일반) :
200ns, 200ns
작동 온도 :
-55°C ~ 155°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)