제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
트랜지스터 유형 :
PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3