기술 :
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
16A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1765pF @ 13V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)