Infineon Technologies - BCR133E6327HTSA1

KEY Part #: K6528406

BCR133E6327HTSA1 가격 (USD) [2380284PC 주식]

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  • 30,000 pcs$0.00994
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  • 150,000 pcs$0.00736

부품 번호:
BCR133E6327HTSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 사이리스터 - 트라이 액 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR133E6327HTSA1 제품 속성

부품 번호 : BCR133E6327HTSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
시리즈 : -
부품 상태 : Last Time Buy
트랜지스터 유형 : NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V
저항기 -베이스 (R1) : 10 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 : 130MHz
전력 - 최대 : 200mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23-3

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