Winbond Electronics - W947D2HBJX6E

KEY Part #: K942113

W947D2HBJX6E 가격 (USD) [42953PC 주식]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212

부품 번호:
W947D2HBJX6E
제조사:
Winbond Electronics
상세 설명:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 166MHz, 65nm
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 로직 - FIFO 메모리, 기억, PMIC - 전원 관리 - 전문, 논리 - 변환기, 레벨 변환기, 데이터 수집 - 아날로그 프론트 엔드 (AFE), 인터페이스 - 센서, 커패시 티브 터치, 로직 - 비교기 and 로직 - 신호 스위치, 멀티플렉서, 디코더 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX6E 제품 속성

부품 번호 : W947D2HBJX6E
제조사 : Winbond Electronics
기술 : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Volatile
메모리 형식 : DRAM
과학 기술 : SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기 : 128Mb (4M x 32)
클럭 주파수 : 166MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 15ns
액세스 시간 : 5ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -25°C ~ 85°C (TC)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 90-TFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 90-VFBGA (8x13)

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