기술 :
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
444A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 400A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 105mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1127nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-