JANTX1N5811US 가격 (USD) [7541PC 주식]
- 1 pcs$6.93221
- 10 pcs$6.30201
- 25 pcs$5.82940
- 100 pcs$5.35671
- 250 pcs$4.88407
- 부품 번호:
- JANTX1N5811US
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HR SM
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5811US electronic components. JANTX1N5811US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5811US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX1N5811US 제품 속성
부품 번호 :
JANTX1N5811US
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
시리즈 :
Military, MIL-PRF-19500/477
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
150V
전류 - 평균 정류 (Io) :
3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
875mV @ 4A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
30ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SQ-MELF, B
공급 업체 장치 패키지 :
B, SQ-MELF
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C
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