[3440PC 주식]
- 부품 번호:
- IRF640,127
- 제조사:
- NXP USA Inc.
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in NXP USA Inc. IRF640,127 electronic components. IRF640,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF640,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF640,127 제품 속성
부품 번호 :
IRF640,127
제조사 :
NXP USA Inc.
기술 :
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
시리즈 :
TrenchMOS™
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1850pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
136W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220AB
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- IXTM67N10
- IRFS4321-7PPBF
- NVD4805NT4G
- JANTXV2N6790
- JAN2N7227
- RJK6015DPM-00#T1
- RJK0601DPN-E0#T2
- BUK953R5-60E,127
- AOTF2918L
- SCH1334-TL-H
- SI4412ADY-T1-GE3
- SI1405BDH-T1-E3
- 2SK4021(Q)
- APTM20UM05SG
- FDZ201N
- NTB4302
- SPN02N60S5
- HUF75617D3
- HUF76009D3ST
- IRLR014NPBF
- TPCA8016-H(TE12LQM
- JAN2N6784U
- APTM120U10SCAVG
- IRL3714ZSTRR
- MMBF170LT1
- IRLR3714ZTRR
- IRL3202L
- IRFR9024NTRR
- BUK7107-55ATE,118
- IPI60R165CPXKSA1
- HUF75842P3
- FDPF7N60NZT
- SIS892DN-T1-GE3
- STU85N3LH5
- SI7386DP-T1-E3
- IRFR3709ZTRLPBF
- BUK9M28-80EX
- BUK7Y53-100B,115
- IPN60R2K1CEATMA1
- PSMN020-30MLCX