제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
1600V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.2V @ 1A
속도 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 1600V
커패시턴스 @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-213AB, MELF (Glass)
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C