Infineon Technologies - SIDC105D120H8X1SA1

KEY Part #: K6431142

SIDC105D120H8X1SA1 가격 (USD) [6845PC 주식]

  • 1 pcs$6.01996

부품 번호:
SIDC105D120H8X1SA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDC105D120H8X1SA1 제품 속성

부품 번호 : SIDC105D120H8X1SA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 200A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.41V @ 45A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 27µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : Die
공급 업체 장치 패키지 : Sawn on foil
작동 온도 - 정션 : -40°C ~ 175°C

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