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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 가격 (USD) [24757PC 주식]

  • 1 pcs$1.85094
부품 번호:
TC58BYG0S3HBAI4
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 클록 / 타이밍 - 클록 버퍼, 드라이버, 논리 - 래치, 인터페이스 - 코덱, 로직 - FIFO 메모리, 논리 - 범용 버스 기능, 선형 - 증폭기 - 계측, OP 앰프, 버퍼 앰프, 데이터 수집 - 디지털 - 아날로그 컨버터 (DAC) and PMIC - 전압 조정기 - 특수용 ...
경쟁 우위:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 electronic components. TC58BYG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 제품 속성

부품 번호 : TC58BYG0S3HBAI4
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
시리즈 : Benand™
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 1Gb (128M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : -
메모리 인터페이스 : -
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 63-TFBGA (9x11)

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